Valley-Entartung ist in der Festkörperphysik das Auftreten entarteter Zustände, die zu Wellenvektoren in verschiedenen Kristallrichtungen gehören. Der dazugehörige Entartungsfaktor wird häufig mit $ g_{v} $ bezeichnet. Wenn man die Flächen konstanter Energie (analog zur Fermifläche) nahe dem Energieminimum in einem Diagramm darstellt, zeigen sich die Umgebungen der Energieminima als Senken (Valleys). Der Entartungsfaktor $ g_{v} $ ist die Anzahl vollständiger Umgebungen in der ersten Brillouinzone.
Die Entartung kann in der quantenmechanischen Betrachtung als Pseudo-Spin beschrieben und in der Dirac-Gleichung durch die Pauli-Matrizen berücksichtigt werden.
Das energetische Minimum der Leitungsband-Struktur von Galliumarsenid liegt beim Wellenvektor $ {\vec {k}}={\vec {0}} $ und die Flächen konstanter Energie um das Minimum herum bilden Kugelflächen. In der ersten Brillouin-Zone befindet sich nur ein Minimum, daher ist derEntartungsfaktor $ g_{v}=1 $.
In Silizium liegt das Energieminimum in $ (100) $-Richtung. Aufgrund der Kristallsymmetrie sind in der Bandstruktur die sechs Richtungen mit den millerschen Indizes $ \{(100),({\bar {1}}00),(010),(0{\bar {1}}0),(001),(00{\bar {1}})\} $ äquivalent. Somit liegen in der ersten Brillouin-Zone sechs Minima und es ergibt sich ein Entartungsfaktor von $ g_{v}=6 $.
Bei Germanium treten die Energieminima in der $ (111) $-Richtung und ihren Äquivalenten mit den millerschen Indizes $ \{({\bar {1}}11),(1{\bar {1}}1),(11{\bar {1}}),({\bar {1}}{\bar {1}}1),({\bar {1}}1{\bar {1}}),(1{\bar {1}}{\bar {1}})({\bar {1}}{\bar {1}}{\bar {1}})\} $ insgesamt achtmal auf. Da diese Minima am Rand der ersten Brillouin-Zone liegen, werden sie nur anteilig gezählt. Durch Verschiebung um reziproke Gittervektoren, lassen sich die Umgebungen der entarteten Zustände auf die Umgebungen von vier unterschiedliche Zuständen in der ersten Brillouin-Zone erzeugen. Daher ist der Entartungsfaktor $ g_{v}=4 $[1].
Graphen hat eine sogenannte Zwei-Valley-Struktur, also $ g_{v}=2 $.