Velocity overshoot
{{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value) (auf Deutsch ungefähr ‚Geschwindigkeitsüberschreitung‘) ist ein Phänomen in der Halbleiterphysik, das auftritt wenn Ladungsträger in einem Halbleiter einem äußeren elektrischen Feld ausgesetzt werden. Dann werden die Ladungsträger mit dem Einsetzen des elektrischen Felds sehr stark beschleunigt, bis Streuprozesse sie einerseits verlangsamen und andererseits ihre Geschwindigkeitsverteilung verbreitern.[1] Dadurch erreichen die Elektronen kurzzeitig eine höhere Geschwindigkeit als im Gleichgewichtszustand.
Der Effekt lässt sich unter anderem dadurch erklären, dass das Leitungsband mehrere nah beieinander liegende Minima aufweist. Ab der oben genannten Feldstärke können die Ladungsträger von einem Minimum ins andere (höhergelegene Minimum, englisch higher valley) wechseln. Dadurch erreichen sie höherenergetische Zustände und verlieren an Beweglichkeit (werden stärker abgebremst).
Literatur
- Peter Graf: Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si / SiGe-Heterobipolartransistoren. Herbert Utz Verlag 1999, ISBN 978-3896755742, S. 79 ff.
Einzelnachweise
- ↑ Andreas Schenk: Halbleiterbauelemente. physikalische Grundlagen und Simulation. Hrsg.: ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory. 2001, doi:10.3929/ethz-a-004303105 (Lehrmaterial).