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Ein '''optischer Verstärker''' ist ein Gerät, das ein eingehendes [[Optik|optisches]] [[Signal]] beim Durchgang verstärkt, ohne es zwischendurch in ein elektrisches Signal umgewandelt zu haben. | Ein '''optischer Verstärker''' ist ein Gerät, das ein eingehendes [[Optik|optisches]] [[Signal]] beim Durchgang verstärkt, ohne es zwischendurch in ein elektrisches Signal umgewandelt zu haben. | ||
Die Verstärkung beruht auf [[stimulierte Emission|stimulierter Emission]], die vom zu verstärkenden Signal ausgelöst wird. Ein optischer Verstärker ist ein [[Laser]] in seiner ursprünglichsten Form ohne [[Optischer Resonator|optischen Resonator]]. | Die Verstärkung beruht auf [[stimulierte Emission|stimulierter Emission]], die vom zu verstärkenden Signal ausgelöst wird. Ein optischer Verstärker ist ein [[Laser]] in seiner ursprünglichsten Form ohne [[Optischer Resonator|optischen Resonator]]. | ||
Im Gegensatz zu regenerativen Verstärkern arbeiten sie unabhängig von der [[Modulation (Technik)|Modulation]] des optischen Signals und werden daher manchmal auch als "transparent" bezeichnet. Diese Eigenschaft und die große [[Bandbreite|Verstärkerbandbreite]] ist vor allem beim Einsatz von Wellenlängenmultiplexverfahren ([[Multiplexverfahren#WWDM|WDM]]) wichtig. Optische Verstärker werden, | Im Gegensatz zu regenerativen Verstärkern arbeiten sie unabhängig von der [[Modulation (Technik)|Modulation]] des optischen Signals und werden daher manchmal auch als "transparent" bezeichnet. Diese Eigenschaft und die große [[Bandbreite|Verstärkerbandbreite]] ist vor allem beim Einsatz von Wellenlängenmultiplexverfahren ([[Multiplexverfahren#WWDM|WDM]]) wichtig. Optische Verstärker werden, seit eine hohe Zuverlässigkeit gewährleistet ist, für alle weiträumigen [[Glasfasernetz|Glasfaserverbindungen]] wie zum Beispiel die [[Seekabel|Transatlantikstrecken]] eingesetzt. | ||
Die meisten optischen Verstärker emittieren auch spontan | Die meisten optischen Verstärker emittieren auch spontan [[Photon]]en, die dann ebenfalls verstärkt werden. Dieser unerwünschte Effekt wird ASE genannt (engl. {{lang|en|''amplified spontaneous emission''}}, siehe auch unter: ''[[Superlumineszenz]]'')<ref name="Brückner">{{Literatur|Autor=Volkmar Brückner|Titel=Elemente optischer Netze: Grundlagen und Praxis der optischen Datenübertragung|Verlag=Vieweg+Teubner| Auflage=2 | ISBN=3-83-481034-7|Jahr=2011|Seiten=123ff|Online = {{Google Buch|BuchID=hRk4gXjo0e0C|Seite=123}}}}</ref>. Die durch ASE hervorgerufene Strahlung ist [[inkohärent]] und unpolarisiert. ASE ist einer der Faktoren, der die Anzahl der kaskadierbaren Verstärker begrenzt. Das Verhältnis der gesamten Leistung eines Signals zu der Rauschleistung bei der Signalfrequenz in einer geringen Bandbreite (meist 0,1 nm) wird als Optisches [[Signal-Rausch-Verhältnis]] (OSNR) bezeichnet und auf die Bandbreite bezogen in dB angegeben (z. B. dB/0,1 nm). | ||
== Erbium-dotierte Faserverstärker (EDFA) == | == Erbium-dotierte Faserverstärker (EDFA) == | ||
Bei ''[[Erbium]]-dotierten Faserverstärkern'' (engl. {{lang|en|''erbium-doped fiber amplifier''}}, '''EDFA''') wird eine herkömmliche Glasfaser auf einer Länge von einem bis etwa 100 Metern mit Erbium [[Dotierung|dotiert]]. Dieser Faserabschnitt wird dann mit Hilfe eines [[Halbleiterlaser]]s [[Optisches Pumpen|optisch gepumpt]]. | Bei ''[[Erbium]]-dotierten Faserverstärkern'' (engl. {{lang|en|''erbium-doped fiber amplifier''}}, '''EDFA''') wird eine herkömmliche [[Glasfaser]] auf einer Länge von einem bis etwa 100 Metern mit Erbium [[Dotierung|dotiert]]. Dieser Faserabschnitt wird dann mit Hilfe eines [[Halbleiterlaser]]s [[Optisches Pumpen|optisch gepumpt]]. | ||
Typische Werte für kommerzielle EDFAs: | Typische Werte für kommerzielle EDFAs: | ||
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** S-Band (unter 1480 nm) benötigt andere Dotiersubstanzen. | ** S-Band (unter 1480 nm) benötigt andere Dotiersubstanzen. | ||
* geringes [[Rauschen (Physik)|Rauschen]] mit einer [[Rauschzahl]] von 3–6 dB | * geringes [[Rauschen (Physik)|Rauschen]] mit einer [[Rauschzahl]] von 3–6 dB | ||
* hohe Verstärkung (20–40 dB) und geringe Abhängigkeit von der Polarisation des Lichtsignals. | * hohe Verstärkung (20–40 dB) und geringe Abhängigkeit von der [[Polarisation#Polarisation elektromagnetischer Wellen|Polarisation]] des Lichtsignals. | ||
* max. optische [[Leistung (Physik)|Ausgangsleistung]]: 10–35 dBm | * max. optische [[Leistung (Physik)|Ausgangsleistung]]: 10–35 dBm | ||
* interne Verstärkung: 25–50 dB | * interne Verstärkung: 25–50 dB | ||
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Halbleiterlaserverstärker (engl. {{lang|en|''semiconductor optical amplifier''}}, SOA) sind wie [[Halbleiterlaser]] aufgebaut, haben jedoch an den Stirnflächen, an denen das Licht austritt, eine [[Antireflexionsbeschichtung]] damit keine unerwünschten [[Resonanz (Physik)|Resonanzeffekte]] entstehen. Meist werden sie mit [[Lichtwellenleiter|Monomodefasern]] betrieben. | Halbleiterlaserverstärker (engl. {{lang|en|''semiconductor optical amplifier''}}, SOA) sind wie [[Halbleiterlaser]] aufgebaut, haben jedoch an den Stirnflächen, an denen das Licht austritt, eine [[Antireflexionsbeschichtung]] damit keine unerwünschten [[Resonanz (Physik)|Resonanzeffekte]] entstehen. Meist werden sie mit [[Lichtwellenleiter|Monomodefasern]] betrieben. | ||
Halbleiterlaserverstärker sind in puncto Verstärkung, Rauschen und Polarisationsabhängigkeit den EDFAs unterlegen, jedoch ergibt sich auf Grund der guten Integrierbarkeit ein Preisvorteil. | Halbleiterlaserverstärker sind in puncto Verstärkung, Rauschen und Polarisationsabhängigkeit den EDFAs unterlegen, jedoch ergibt sich auf Grund der guten Integrierbarkeit ein Preisvorteil. | ||
In abstimmbaren Laser [[ITLA]] werden Halbleiterverstärker im selben Gehäuse integriert, um eine höhere Ausgangsleistung zu erzielen. | |||
Im Gegensatz zu den Faserverstärkern ändert sich die Anregung in Halbleiterverstärkern sehr schnell, so dass es zu einer gegenseitigen Beeinflussung kommt, wenn mehrere Signale gleichzeitig verstärkt werden. Das kann zu unerwünschtem Übersprechen führen, aber auch für schnelles optisches Schalten oder zur optischen Frequenzumsetzung genutzt werden. | |||
Typische Werte: | Typische Werte: | ||
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* Bandbreite: 25 nm | * Bandbreite: 25 nm | ||
Für hohe optische Leistungen, die im wissenschaftlichen Bereich, z. B. bei Laserkühlung, Bose-Einstein-Kondensation und Laserspektroskopie | Für hohe optische Leistungen, die im wissenschaftlichen Bereich, z. B. bei [[Laserkühlung]], [[Bose-Einstein-Kondensation]] und [[Laserspektroskopie]] benötigt werden, hat sich ein Halbleiterlaserverstärker mit einer trapezförmigen Struktur durchgesetzt<ref>{{cite web |url=http://www.hanel-photonics.com/tapered_amplifier.html |title=Laser Diode Market |publisher=Hanel Photonics |accessdate=2014-12-03}}</ref>. Die trapezförmige Sektion wird benötigt, um die Leistungsdichte an der Austrittsfacette zu reduzieren. | ||
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== Raman-Verstärker == | == Raman-Verstärker == | ||
Bei Raman-Verstärkern bedient man sich der so genannten [[Ramanstreuung]]. Bei Einstrahlung einer optischen Pumpwelle (hoher [[Intensität (Physik)|Intensität]]) werden in [[Lichtwellenleiter|Quarzglasfasern]] die [[Photon]]en an den [[Siliciumdioxid]]-[[Molekül]]en gestreut. Dabei geht ein Teil der Energie in [[Phonon]]en über und der Rest wird als Photonen niedrigerer Energie gestreut. Dieser Prozess findet zunächst spontan statt, kann jedoch auch über die zu verstärkende Signalwelle stimuliert werden. Man spricht dann von [[Stimulierte Ramanstreuung|stimulierter Ramanstreuung]]. | Bei Raman-Verstärkern bedient man sich der so genannten [[Ramanstreuung]]. Bei Einstrahlung einer [[Optisches Pumpen|optischen Pumpwelle]] (hoher [[Intensität (Physik)|Intensität]]) werden in [[Lichtwellenleiter|Quarzglasfasern]] die [[Photon]]en an den [[Siliciumdioxid]]-[[Molekül]]en gestreut. Dabei geht ein Teil der Energie in [[Phonon]]en über und der Rest wird als Photonen niedrigerer Energie gestreut. Dieser Prozess findet zunächst spontan statt, kann jedoch auch über die zu verstärkende Signalwelle stimuliert werden. Man spricht dann von [[Stimulierte Ramanstreuung|stimulierter Ramanstreuung]]. | ||
Vorteile gegenüber EDFA sind: | Vorteile gegenüber EDFA sind: | ||
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* die über die gesamte Faser verteilte Verstärkung führt zu besserem [[Signal-Rausch-Verhältnis]] | * die über die gesamte Faser verteilte Verstärkung führt zu besserem [[Signal-Rausch-Verhältnis]] | ||
Das Prinzip wurde schon von [[Erich P. Ippen]] und [[Rogers H. Stolen]] 1973 demonstriert. Der Vorteil für Signalübertragung über große Distanzen wurde schon in den 1980er Jahren ausgenutzt (z.B. [[Linn F. Mollenauer]] an den Bell Laboratories), wurde aber zunächst durch die Einführung der EDFAs in den Hintergrund gedrängt und erlebten erst im Lauf der 1990er Jahre einen Aufschwung.<ref>Mohammed N. Islam ''Raman amplifiers for telecommunications'', IEEE Journal of selected topics in quantum electronics, Band 8, Nr.3, 2002</ref> | Das Prinzip wurde schon von [[Erich P. Ippen]] und [[Rogers H. Stolen]] 1973 demonstriert. Der Vorteil für Signalübertragung über große Distanzen wurde schon in den 1980er Jahren ausgenutzt (z. B. [[Linn F. Mollenauer]] an den [[Bell Laboratories]]), wurde aber zunächst durch die Einführung der EDFAs in den Hintergrund gedrängt und erlebten erst im Lauf der 1990er Jahre einen Aufschwung.<ref>Mohammed N. Islam ''Raman amplifiers for telecommunications'', IEEE Journal of selected topics in quantum electronics, Band 8, Nr. 3, 2002</ref> | ||
== Siehe auch == | == Siehe auch == | ||
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== Weblinks == | == Weblinks == | ||
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== Einzelnachweise == | == Einzelnachweise == | ||
<references /> | <references /> | ||
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Ein optischer Verstärker ist ein Gerät, das ein eingehendes optisches Signal beim Durchgang verstärkt, ohne es zwischendurch in ein elektrisches Signal umgewandelt zu haben.
Die Verstärkung beruht auf stimulierter Emission, die vom zu verstärkenden Signal ausgelöst wird. Ein optischer Verstärker ist ein Laser in seiner ursprünglichsten Form ohne optischen Resonator.
Im Gegensatz zu regenerativen Verstärkern arbeiten sie unabhängig von der Modulation des optischen Signals und werden daher manchmal auch als "transparent" bezeichnet. Diese Eigenschaft und die große Verstärkerbandbreite ist vor allem beim Einsatz von Wellenlängenmultiplexverfahren (WDM) wichtig. Optische Verstärker werden, seit eine hohe Zuverlässigkeit gewährleistet ist, für alle weiträumigen Glasfaserverbindungen wie zum Beispiel die Transatlantikstrecken eingesetzt.
Die meisten optischen Verstärker emittieren auch spontan Photonen, die dann ebenfalls verstärkt werden. Dieser unerwünschte Effekt wird ASE genannt (engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value), siehe auch unter: Superlumineszenz)[1]. Die durch ASE hervorgerufene Strahlung ist inkohärent und unpolarisiert. ASE ist einer der Faktoren, der die Anzahl der kaskadierbaren Verstärker begrenzt. Das Verhältnis der gesamten Leistung eines Signals zu der Rauschleistung bei der Signalfrequenz in einer geringen Bandbreite (meist 0,1 nm) wird als Optisches Signal-Rausch-Verhältnis (OSNR) bezeichnet und auf die Bandbreite bezogen in dB angegeben (z. B. dB/0,1 nm).
Bei Erbium-dotierten Faserverstärkern (engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value), EDFA) wird eine herkömmliche Glasfaser auf einer Länge von einem bis etwa 100 Metern mit Erbium dotiert. Dieser Faserabschnitt wird dann mit Hilfe eines Halbleiterlasers optisch gepumpt.
Typische Werte für kommerzielle EDFAs:
EDFA wurden zuerst 1987 durch eine Gruppe an der University of Southampton um David N. Payne[2] und an den Bell Laboratories (Emmanuel Desurvire und andere) demonstriert.[3] Mit den EDFA gelang ab Ende der 1980er Jahre der Durchbruch für Glasfaserübertragung optischer Signale auf sehr lange Distanzen.
Halbleiterlaserverstärker (engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value), SOA) sind wie Halbleiterlaser aufgebaut, haben jedoch an den Stirnflächen, an denen das Licht austritt, eine Antireflexionsbeschichtung damit keine unerwünschten Resonanzeffekte entstehen. Meist werden sie mit Monomodefasern betrieben. Halbleiterlaserverstärker sind in puncto Verstärkung, Rauschen und Polarisationsabhängigkeit den EDFAs unterlegen, jedoch ergibt sich auf Grund der guten Integrierbarkeit ein Preisvorteil. In abstimmbaren Laser ITLA werden Halbleiterverstärker im selben Gehäuse integriert, um eine höhere Ausgangsleistung zu erzielen. Im Gegensatz zu den Faserverstärkern ändert sich die Anregung in Halbleiterverstärkern sehr schnell, so dass es zu einer gegenseitigen Beeinflussung kommt, wenn mehrere Signale gleichzeitig verstärkt werden. Das kann zu unerwünschtem Übersprechen führen, aber auch für schnelles optisches Schalten oder zur optischen Frequenzumsetzung genutzt werden.
Typische Werte:
Für hohe optische Leistungen, die im wissenschaftlichen Bereich, z. B. bei Laserkühlung, Bose-Einstein-Kondensation und Laserspektroskopie benötigt werden, hat sich ein Halbleiterlaserverstärker mit einer trapezförmigen Struktur durchgesetzt[4]. Die trapezförmige Sektion wird benötigt, um die Leistungsdichte an der Austrittsfacette zu reduzieren.
Typische Werte:
Bei Raman-Verstärkern bedient man sich der so genannten Ramanstreuung. Bei Einstrahlung einer optischen Pumpwelle (hoher Intensität) werden in Quarzglasfasern die Photonen an den Siliciumdioxid-Molekülen gestreut. Dabei geht ein Teil der Energie in Phononen über und der Rest wird als Photonen niedrigerer Energie gestreut. Dieser Prozess findet zunächst spontan statt, kann jedoch auch über die zu verstärkende Signalwelle stimuliert werden. Man spricht dann von stimulierter Ramanstreuung.
Vorteile gegenüber EDFA sind:
Das Prinzip wurde schon von Erich P. Ippen und Rogers H. Stolen 1973 demonstriert. Der Vorteil für Signalübertragung über große Distanzen wurde schon in den 1980er Jahren ausgenutzt (z. B. Linn F. Mollenauer an den Bell Laboratories), wurde aber zunächst durch die Einführung der EDFAs in den Hintergrund gedrängt und erlebten erst im Lauf der 1990er Jahre einen Aufschwung.[5]
