Velocity overshoot: Unterschied zwischen den Versionen

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{{lang|en|'''Velocity overshoot'''}} (auf Deutsch ungefähr ‚Geschwindigkeitsüberschreitung‘) ist ein Phänomen in der [[Halbleiterphysik]], das auftritt wenn [[Ladungsträger (Physik)|Ladungsträger]] in einem [[Halbleiter]] einem äußeren [[Elektrisches Feld|elektrischen Feld]] ausgesetzt werden. Dann werden die Ladungsträger mit dem Einsetzen des elektrischen Felds sehr stark beschleunigt, bis Streuprozesse sie einerseits verlangsamen und andererseits ihre Geschwindigkeitsverteilung verbreitern.<ref>{{Literatur |Autor=Andreas Schenk|Titel=Halbleiterbauelemente. physikalische Grundlagen und Simulation|Herausgeber=ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory|Kommentar=Lehrmaterial|Jahr=2001|DOI=10.3929/ethz-a-004303105}} </ref> Dadurch erreichen die Elektronen kurzzeitig eine höhere Geschwindigkeit als im Gleichgewichtszustand.
{{lang|en|'''Velocity overshoot'''}} (auf Deutsch ungefähr ‚Geschwindigkeitsüberschreitung‘) ist ein Phänomen in der [[Halbleiterphysik]], das auftritt wenn [[Ladungsträger (Physik)|Ladungsträger]] in einem [[Halbleiter]] einem äußeren [[Elektrisches Feld|elektrischen Feld]] ausgesetzt werden. Dann werden die Ladungsträger mit dem Einsetzen des elektrischen Felds sehr stark beschleunigt, bis Streuprozesse sie einerseits verlangsamen und andererseits ihre Geschwindigkeitsverteilung verbreitern.<ref>{{Literatur |Autor=Andreas Schenk|Titel=Halbleiterbauelemente. physikalische Grundlagen und Simulation|Herausgeber=ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory|Kommentar=Lehrmaterial|Jahr=2001|DOI=10.3929/ethz-a-004303105}} </ref> Dadurch erreichen die Elektronen kurzzeitig eine höhere Geschwindigkeit als im Gleichgewichtszustand.
{{Belege fehlen|die Quelle belegt niht dir Begründung|Der nachfolgende Absatz}}
Der Effekt lässt sich unter anderem dadurch erklären, dass das [[Leitungsband]] mehrere nah beieinander liegende Minima aufweist. Ab der oben genannten Feldstärke können die Ladungsträger von einem Minimum ins andere (höhergelegene Minimum, {{enS|higher valley}}) wechseln. Dadurch erreichen sie höherenergetische Zustände und verlieren an Beweglichkeit (werden stärker abgebremst).


== Literatur ==
== Literatur ==

Aktuelle Version vom 9. November 2018, 09:57 Uhr

{{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value) (auf Deutsch ungefähr ‚Geschwindigkeitsüberschreitung‘) ist ein Phänomen in der Halbleiterphysik, das auftritt wenn Ladungsträger in einem Halbleiter einem äußeren elektrischen Feld ausgesetzt werden. Dann werden die Ladungsträger mit dem Einsetzen des elektrischen Felds sehr stark beschleunigt, bis Streuprozesse sie einerseits verlangsamen und andererseits ihre Geschwindigkeitsverteilung verbreitern.[1] Dadurch erreichen die Elektronen kurzzeitig eine höhere Geschwindigkeit als im Gleichgewichtszustand.

Literatur

  • Peter Graf: Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si / SiGe-Heterobipolartransistoren. Herbert Utz Verlag 1999, ISBN 978-3896755742, S. 79 ff.

Einzelnachweise

  1. Andreas Schenk: Halbleiterbauelemente. physikalische Grundlagen und Simulation. Hrsg.: ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory. 2001, doi:10.3929/ethz-a-004303105 (Lehrmaterial).

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