Hans-Joachim Queisser (* 6. Juli 1931 in Berlin) ist ein deutscher Halbleiterphysiker.
Queisser studierte Physik an der Freien Universität in West-Berlin und an der University of Kansas und erhielt 1958 seinen Doktortitel für experimentelle Festkörperphysik an der Universität Göttingen. Seit 1959 arbeitete und forschte er bei der Shockley Semiconductor Laboratory in Mountain View, der Firma des Nobelpreisträgers (1956) William B. Shockley, die auch der Ausgangsort des zukünftigen Silicon Valley war. Hier erforschte er Silizium-Einzelkristalle und Solarzellen.
1965 wechselte er zu den Bell Laboratories in Murray Hill, New Jersey, wo er sich mit der Erforschung von Halbleitern, mit dem Schwerpunkt der Opto-Elektronik, beschäftigte. Hier erfand er eine leistungsstarke superlumineszierende Diode, die als Infrarot-LED Anwendung zum Beispiel in Fernbedienungen für elektrische Geräte fand.[1]
1966 wurde er Professor für Physik an der Universität Frankfurt. 1970 war er einer der Gründungsdirektoren des neuen Max-Planck-Instituts für Festkörperforschung in Stuttgart und des zugehörigen Hochfeld-Magnetlabors am Institut Laue-Langevin in Grenoble. 1998 ging er in den Ruhestand.
Von 1976 bis 1977 war Queisser Präsident der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Er war Mitglied der von 1987 bis 1990 bestehenden Akademie der Wissenschaften zu Berlin und ist entpflichtetes ordentliches Mitglied der Berlin-Brandenburgischen Akademie der Wissenschaften. 1992 wurde er Fellow der American Physical Society.
Zu seinen Doktoranden gehört der Nobelpreisträger Horst Ludwig Störmer.
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Queisser, Hans-Joachim |
| KURZBESCHREIBUNG | deutscher Halbleiterphysiker |
| GEBURTSDATUM | 6. Juli 1931 |
| GEBURTSORT | Berlin |
