Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Minoritätsladungsträger die Elektronen, bei n-Dotierung sind es die Defektelektronen (Löcher). Sie können mittels Oberflächenphotospannung detektiert und quantifiziert werden.
NA | Akzeptorenkonzentration (Dotierung) |
ND | Donatorenkonzentration (Dotierung) |
NA− | ionisierte Akzeptoratome |
ND+ | ionisierte Donatoratome |
ni | Intrinsische Ladungsträgerdichte |
nn | Majoritätsladungsträger (bei n-Dotierung) |
pn | Minoritätsladungsträger (bei n-Dotierung) |
pp | Majoritätsladungsträger (bei p-Dotierung) |
np | Minoritätsladungsträger (bei p-Dotierung) |
n | Dichte der freien Ladungsträger (Elektronen) |
p | Dichte der freien Ladungsträger (Löcher) |
mn | effektive Masse der Elektronen |
mp | effektive Masse der Löcher |
WG | Energie der Bandlücke in eV |
k | Boltzmann-Konstante in eV / K |
T | absolute Temperatur |
h | plancksches Wirkungsquantum |
Aus den Gleichungen für die Majoritätsladungsträger-Konzentration[1] für Einfach-Dotierungen deutlich größer der Eigenleitungsdichte des Halbleiters im
p-Gebiet
bzw. n-Gebiet
ergibt sich im thermodynamischen Gleichgewicht wegen
die Minoritätsladungsträgerkonzentration[1] für
en:Charge carrier#Majority and minority carriers