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'''Jerry David Tersoff''' (* [[12. Juni]] [[1945]] in [[Washington, D.C.]])<ref>Lebensdaten nach ''American Men and Women of Science'', Thomson Gale 2004</ref> ist ein US-amerikanischer [[Physiker]], der sich mit theoretischer Festkörperphysik befasst. | '''Jerry David Tersoff''' (* [[12. Juni]] [[1945]] in [[Washington, D.C.]])<ref>Lebensdaten nach ''American Men and Women of Science'', Thomson Gale 2004</ref> ist ein US-amerikanischer [[Physiker]], der sich mit theoretischer Festkörperphysik befasst. | ||
Tersoff erhielt 1977 den B.A. in Physik am [[Swarthmore College]] und den 1982 den Ph.D. in Physik an der [[University of California]].<ref>{{Internetquelle|url= | Tersoff erhielt 1977 den B.A. in Physik am [[Swarthmore College]] und den 1982 den Ph.D. in Physik an der [[University of California]].<ref>{{Internetquelle|url=https://researcher.watson.ibm.com/researcher/view_person_subpage.php?id=628|titel=Curriculum Vitae Tersoff|sprache=en|zugriff=2012-02-14}}</ref> Er war dann 1982 bis 1984 Postdoc bei den [[Bell Laboratories]], bevor er Research Staff Member am IBM [[Thomas J. Watson Research Center]] wurde. | ||
Tersoffs Forschungsschwerpunkte sind im Gebiet der [[Moleküldynamik]], der Oberflächenphysik und Materialwissenschaften. Er befasste sich mit der Theorie [[Epitaxie|epitaxialen]] Wachstums und der [[Rastertunnelmikroskop]]ie, [[Schottky-Barriere]]n und Halbleiter-Bandstrukturen bei [[Heteroübergang|Heteroübergängen]], elektronischer Struktur von Festkörperoberflächen und Grenzflächen. | Tersoffs Forschungsschwerpunkte sind im Gebiet der [[Moleküldynamik]], der Oberflächenphysik und Materialwissenschaften. Er befasste sich mit der Theorie [[Epitaxie|epitaxialen]] Wachstums und der [[Rastertunnelmikroskop]]ie, [[Schottky-Barriere]]n und Halbleiter-Bandstrukturen bei [[Heteroübergang|Heteroübergängen]], elektronischer Struktur von Festkörperoberflächen und Grenzflächen. | ||
Unter anderem untersuchte er wie mechanische Spannungen bei hetero-epitaxialem Wachstum zum kontrollierten Selbstaubau und zur Selbstorganisation von Nanostrukturen wie [[Quantenpunkt]]en und [[Quantendraht|Quantendrähten]] führen können. | Unter anderem untersuchte er wie mechanische Spannungen bei hetero-epitaxialem Wachstum zum kontrollierten Selbstaubau und zur Selbstorganisation von Nanostrukturen wie [[Quantenpunkt]]en und [[Quantendraht|Quantendrähten]] führen können. | ||
== Auszeichnungen == | == Auszeichnungen == | ||
* 1988 [[Peter Mark Memorial Award]] der American Vacuum Society | * 1988 [[Peter Mark Memorial Award]] der American Vacuum Society | ||
* 1996 [[Materials Research Society | * 1996 [[Materials Research Society]] Medal | ||
* 1997 [[Davisson-Germer-Preis]]<ref>{{Internetquelle|url= | * 1997 [[Davisson-Germer-Preis]]<ref>{{Internetquelle|url=https://www.aps.org/programs/honors/prizes/prizerecipient.cfm?last_nm=Tersoff&first_nm=Jerry&year=1997|titel=Prize Recipient Jerry D. Tersoff|sprache=en|zugriff=2012-02-14}}</ref> | ||
* 2007 [[Medard W. Welch Award]] der American Vacuum Society | * 2007 [[Medard W. Welch Award]] der American Vacuum Society | ||
* 2019 [[Von Hippel Award]] der Materials Research Society | |||
Er ist Fellow der [[American Physical Society]], [[American Vacuum Society]] und [[Materials Research Society]]. | Er ist Fellow der [[American Physical Society]], [[American Vacuum Society]] und [[Materials Research Society]]. Seit 2018 ist er Mitglied der [[National Academy of Engineering]]. | ||
==Schriften== | == Schriften == | ||
*Herausgeber mit David Vanderbild, V. Vitek ''Atomic scale calculations in materials science: symposium held November 28-December 1, 1988, Boston'', Pittsburgh, Materials Research Society, 1989 | * Herausgeber mit David Vanderbild, V. Vitek ''Atomic scale calculations in materials science: symposium held November 28-December 1, 1988, Boston'', Pittsburgh, Materials Research Society, 1989 | ||
== Einzelnachweise == | == Einzelnachweise == | ||
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Jerry David Tersoff (* 12. Juni 1945 in Washington, D.C.)[1] ist ein US-amerikanischer Physiker, der sich mit theoretischer Festkörperphysik befasst.
Tersoff erhielt 1977 den B.A. in Physik am Swarthmore College und den 1982 den Ph.D. in Physik an der University of California.[2] Er war dann 1982 bis 1984 Postdoc bei den Bell Laboratories, bevor er Research Staff Member am IBM Thomas J. Watson Research Center wurde.
Tersoffs Forschungsschwerpunkte sind im Gebiet der Moleküldynamik, der Oberflächenphysik und Materialwissenschaften. Er befasste sich mit der Theorie epitaxialen Wachstums und der Rastertunnelmikroskopie, Schottky-Barrieren und Halbleiter-Bandstrukturen bei Heteroübergängen, elektronischer Struktur von Festkörperoberflächen und Grenzflächen.
Unter anderem untersuchte er wie mechanische Spannungen bei hetero-epitaxialem Wachstum zum kontrollierten Selbstaubau und zur Selbstorganisation von Nanostrukturen wie Quantenpunkten und Quantendrähten führen können.
Er ist Fellow der American Physical Society, American Vacuum Society und Materials Research Society. Seit 2018 ist er Mitglied der National Academy of Engineering.
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Tersoff, Jerry |
| ALTERNATIVNAMEN | Tersoff, Jerry David (vollständiger Name) |
| KURZBESCHREIBUNG | US-amerikanischer Physiker |
| GEBURTSDATUM | 12. Juni 1945 |
| GEBURTSORT | Washington, D.C. |
