Radiation sensing field-effect transistor: Unterschied zwischen den Versionen
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Ein „'''radiation sensing field-effect transistor'''“ ('''RADFET''', auch '''RadFET''') ist ein [[Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor]] (MISFET), dessen Source-Drain-Widerstand von der [[Strahlendosis]] abhängt. Ionisierende Strahlung erzeugt [[Elektron-Loch-Paar]]e im Gate-Bereich. Die Elektronen fließen ab, während sich die positiven [[Gitterfehler|Fehlstellen]] im Substrat anreichern. Der Spannungsabfall am Transistor wächst mit der Strahlendosis. Die Empfindlichkeit liegt in der Größenordnung 10 [[Volt|mV]]/[[Gray|Gy]] bis 10 V/Gy. | Ein „'''radiation sensing field-effect transistor'''“ ('''RADFET''', auch '''RadFET''') ist ein [[Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor]] (MISFET), dessen Source-Drain-Widerstand von der [[Strahlendosis]] abhängt. Ionisierende Strahlung erzeugt [[Elektron-Loch-Paar]]e im Gate-Bereich. Die Elektronen fließen ab, während sich die positiven [[Gitterfehler|Fehlstellen]] im Substrat anreichern. Der Spannungsabfall am Transistor wächst mit der Strahlendosis. Die Empfindlichkeit liegt in der Größenordnung 10 [[Volt|mV]]/[[Gray|Gy]] bis 10 V/Gy. | ||
Aktuelle Version vom 15. August 2020, 08:53 Uhr
Ein „radiation sensing field-effect transistor“ (RADFET, auch RadFET) ist ein Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MISFET), dessen Source-Drain-Widerstand von der Strahlendosis abhängt. Ionisierende Strahlung erzeugt Elektron-Loch-Paare im Gate-Bereich. Die Elektronen fließen ab, während sich die positiven Fehlstellen im Substrat anreichern. Der Spannungsabfall am Transistor wächst mit der Strahlendosis. Die Empfindlichkeit liegt in der Größenordnung 10 mV/Gy bis 10 V/Gy.
Aufgrund ihrer geringen Baugröße, der einfachen Integration in elektrische Schaltungen und der hohen erfassbaren Strahlungsdosis von mehr als 1 kGy eignen sich RADFETs als Strahlungsdosimeter für Satelliten.
