Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Minoritätsladungsträger die Elektronen, bei n-Dotierung sind es die Defektelektronen (Löcher). Sie können mittels Oberflächenphotospannung detektiert und quantifiziert werden.
| NA | Akzeptorenkonzentration (Dotierung) |
| ND | Donatorenkonzentration (Dotierung) |
| NA− | ionisierte Akzeptoratome |
| ND+ | ionisierte Donatoratome |
| ni | Intrinsische Ladungsträgerdichte |
| nn | Majoritätsladungsträger (bei n-Dotierung) |
| pn | Minoritätsladungsträger (bei n-Dotierung) |
| pp | Majoritätsladungsträger (bei p-Dotierung) |
| np | Minoritätsladungsträger (bei p-Dotierung) |
| n | Dichte der freien Ladungsträger (Elektronen) |
| p | Dichte der freien Ladungsträger (Löcher) |
| mn | effektive Masse der Elektronen |
| mp | effektive Masse der Löcher |
| WG | Energie der Bandlücke in eV |
| k | Boltzmann-Konstante in eV / K |
| T | absolute Temperatur |
| h | plancksches Wirkungsquantum |
Aus den Gleichungen für die Majoritätsladungsträger-Konzentration[1] für Einfach-Dotierungen deutlich größer der Eigenleitungsdichte des Halbleiters im
p-Gebiet
bzw. n-Gebiet
ergibt sich im thermodynamischen Gleichgewicht wegen
die Minoritätsladungsträgerkonzentration[1] für
en:Charge carrier#Majority and minority carriers